WCT-120TS　シリコンウェーハ 温度依存ライフタイム測定＜Temperature Dependent Lifetime Measurement＞

25℃～200℃の範囲における温度別の半導体ウェーハの品質と結晶化度に関してキャリアライフタイムと表面再結合速度を高精度で測定します。
- ウェーハ製造プロセスにおける段階的なモニタリングと最適化
- 初期の材料品質のモニタリング
- プロセス中の重金属のコンタミネーションの検出
- 表面パッシベーションと放射ドーパント拡散の評価
- 暗電流I-V測定によるプロセス起因のシャントの評価