p +およびn +領域を直接探査するか、メタライゼーション層（存在する場合）を探査することにより、Illumination-Voc曲線を測定できます。
この曲線は、よく知られているSunc-Vocプロットとして、またはシャントを特徴づけるために標準的な太陽光発電曲線の形で表示することができます。
曲線全体は、開回路で測定されるので、直列抵抗の影響を受けません。
この曲線を最終的なI-V曲線と比較するとセル内の直列抵抗の正確な測定が行えます。
- 25℃で制御されるウェーハチャック
- ファインポイント電圧プローブ
- 3構成磁気プローブバーによる測定
- 4種のNDフィルタによるキセノンフラッシュランプ
- 高さ調整可能な柱で光の照射強度を微調整可能
- 標準のI-V曲線とSuns-Voc曲線を表示
- 直列抵抗の影響を受けることなく理想的なウェーハ特性を測定
- ライフタイム特性曲線の測定
- 基板ドーピングの測定
